MRFE6VS25GNR1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

142 V

利得：

27 dB

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-270-2

包装：

リール

動作周波数：

1.8 GHz to 2 GHz

シリーズ：

MRFE6VS25N

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

パーツ番号エイリアス：

935314771528

単位重量：

0.019330 oz

Tags

MRFE6VS, MRFE6V, MRFE6, MRFE, MRF