NTD4858N-35G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

IPAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

73 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.45 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

25.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

54.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

6.22 mm

長さ：

6.73 mm

シリーズ：

NTD4858N

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

2.38 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

55 S

立ち下がり時間：

2.8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

17.3 ns

ファクトリーパックの数量：

75

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

23.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.7 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

NTD4858, NTD485, NTD48, NTD4, NTD