NTJD5121NT2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

295 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.6 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

900 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

250 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

NTJD5121N

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

80 S

立ち下がり時間：

32 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

34 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

34 ns

典型的なターンオン遅延時間：

22 ns

単位重量：

0.000265 oz

Tags

NTJD5121NT, NTJD5121N, NTJD5, NTJD, NTJ