CSD88539NDT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

11.7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

28 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.6 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

7.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.1 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

シリーズ：

CSD88539ND

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

3.9 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

立ち下がり時間：

4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns

単位重量：

0.019048 oz

Tags

CSD8853, CSD885, CSD88, CSD8, CSD