IPD35N10S3L26ATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

35 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

20 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

39 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

71 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

XPD35N10

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

6.22 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns

パーツ番号エイリアス：

IPD35N10S3L-26 IPD35N1S3L26XT SP000386184

単位重量：

0.139332 oz

Tags

IPD35N10S3L2, IPD35N10, IPD35N, IPD35, IPD3, IPD