SI7998DP-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAK-SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

25 A, 30 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

9.3 mOhms, 5.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

26 nC, 48 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

22 W, 40 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SI7

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

45 S, 71 S

立ち下がり時間：

10 ns, 13 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns, 17 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

22 ns, 35 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns, 26 ns

パーツ番号エイリアス：

SI7998DP-GE3

単位重量：

0.017870 oz

Tags

SI799, SI79, SI7