ZVN4210A

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

450 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

700 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

高さ：

4.95 mm

長さ：

4.95 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

ZVN4210

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

FET

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

250 mS

立ち下がり時間：

30 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

20 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4 ns

単位重量：

0.016000 oz

Tags

ZVN4210A, ZVN421, ZVN42, ZVN4, ZVN