MCH6602-TL-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

350 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.7 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

800 mW

構成：

デュアル

包装：

リール

シリーズ：

MCH6602

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.000265 oz

Tags

MCH6602-T, MCH6602, MCH660, MCH66, MCH6, MCH