BSB012NE2LX

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WDSON-2-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

170 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

12 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

57 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.7 mm

長さ：

6.35 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5.05 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

180 S

立ち下がり時間：

4.6 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

34 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.7 ns

パーツ番号エイリアス：

BSB012NE2LXXUMA1 SP000756344

Tags

BSB012NE, BSB012, BSB01, BSB0, BSB