BSP299H6327XUSA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

400 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.1 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

-

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.8 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.6 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

BSP299

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.5 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

300 mS

立ち下がり時間：

30 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

55 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns

パーツ番号エイリアス：

BSP299 H6327 SP001058628

単位重量：

0.003951 oz

Tags

BSP299H, BSP299, BSP29, BSP2, BSP