C3M0016120K

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.2 kV

Id-連続ドレイン電流：

115 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

28.8 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.8 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

Qg-ゲートチャージ：

211 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

556 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Cree、Inc。

立ち下がり時間：

13 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

33 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

65 ns

典型的なターンオン遅延時間：

34 ns

Tags

C3M00, C3M0, C3M