FGA30N65SMD

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-3PN-3

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

650 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.29 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

60 A

Pd-消費電力：

300 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

シリーズ：

FGA30N65SMD

包装：

チューブ

連続コレクタ電流IcMax：

30 A

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

ゲートエミッタリーク電流：

400 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

450

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

0.225789 oz

Tags

FGA30N6, FGA30N, FGA30, FGA3, FGA