SSM6N56FE,LM

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ES6-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

800 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

235 mOhms, 235 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

1 nC, 1 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

250 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.55 mm

長さ：

1.6 mm

シリーズ：

SSM6N56

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

1.2 mm

ブランド：

東芝

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

8.5 ns, 8.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.5 ns, 5.5 ns

単位重量：

0.000289 oz

Tags

SSM6N56, SSM6N5, SSM6N, SSM6, SSM