IXFQ22N60P3

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3P-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

22 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

360 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

38 nC

Pd-消費電力：

500 W

構成：

独身

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

シリーズ：

IXFQ22N60

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

24 S, 14 S

立ち下がり時間：

19 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

17 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.056438 oz

Tags

IXFQ2, IXFQ, IXF