BSV236SP H6327

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

1.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

131 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

- 5.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

560 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

シリーズ：

BSV236

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

1.25 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.2 S

立ち下がり時間：

12.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8.5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14.1 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.7 ns

パーツ番号エイリアス：

BSV236SPH6327XT BSV236SPH6327XTSA1 SP000917672

単位重量：

0.000265 oz

Tags

BSV236SPH, BSV23, BSV2, BSV