IXFK120N30T

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-264-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

300 V

Id-連続ドレイン電流：

120 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

24 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

265 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

960 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

高さ：

26.16 mm

長さ：

19.96 mm

シリーズ：

IXFK120N30

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

GigaMOSパワーMOSFET

幅：

5.13 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

70 S

立ち下がり時間：

23 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

31 ns

ファクトリーパックの数量：

25

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

87 ns

典型的なターンオン遅延時間：

32 ns

単位重量：

0.352740 oz

Tags

IXFK12, IXFK1, IXFK, IXF