IXBN75N170A

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

SOT-227B-4

取り付けスタイル：

SMD / SMT

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1.7 kV

コレクター-エミッター飽和電圧：

4.95 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

75 A

Pd-消費電力：

625 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

IXBN75N170

包装：

チューブ

連続コレクタ電流IcMax：

350 A

高さ：

9.6 mm

長さ：

38.23 mm

動作温度範囲：

- 55 C to + 150 C

幅：

25.42 mm

ブランド：

IXYS

連続コレクタ電流：

75 A

ゲートエミッタリーク電流：

100 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

IGBT

商標名：

BIMOSFET

単位重量：

1.058219 oz

Tags

IXBN7, IXBN, IXB