IRF6665TR1PBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DirectFET-SH

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

4.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

62 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

8.7 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

42 W

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

0.7 mm

長さ：

4.85 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.95 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6.6 S

立ち下がり時間：

4.3 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.8 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

SP001564530

単位重量：

0.017637 oz

Tags

IRF6665T, IRF6665, IRF666, IRF66, IRF6, IRF