BSM75GB120DN2

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

IGBTモジュール

JBoss：

N

製品：

IGBTシリコンモジュール

構成：

ハーフブリッジ

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1200 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.5 V

25℃での連続コレクタ電流：

105 A

ゲートエミッタリーク電流：

320 nA

Pd-消費電力：

625 W

パッケージ/ケース：

Half Bridge1

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

トレイ

高さ：

30.5 mm

長さ：

94 mm

幅：

34 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

取り付けスタイル：

シャーシマウント

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

製品タイプ：

IGBTモジュール

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

IGBT

パーツ番号エイリアス：

BSM75GB120DN2HOSA1 SP000095923

Tags

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