R6046ANZC8

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

46 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

65 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

150 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

130 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

バルク

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

100 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

130 ns

ファクトリーパックの数量：

360

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

230 ns

典型的なターンオン遅延時間：

60 ns

パーツ番号エイリアス：

R6046ANZ

単位重量：

0.194007 oz

Tags

R6046A, R6046, R604, R60