2N5400G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 150 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 160 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.5 V

最大DCコレクタ電流：

0.6 A

ゲイン帯域幅積fT：

400 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

高さ：

5.33 mm

長さ：

5.2 mm

包装：

バルク

幅：

4.19 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 0.5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30

Pd-消費電力：

225 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2N5400, 2N540, 2N54, 2N5