MRF8372LF

製品属性

属性値

メーカー：

Advanced Semiconductor、Inc。

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

バイポーラパワー

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

16 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

3 V

連続コレクタ電流：

200 mA

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

包装：

トレイ

動作周波数：

800 MHz

タイプ：

RFバイポーラパワー

ブランド：

Advanced Semiconductor、Inc。

Pd-消費電力：

2.2 W

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.019048 oz

Tags

MRF8372L, MRF8372, MRF837, MRF83, MRF8, MRF