VRF2933

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

42 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

180 V

利得：

25 dB

出力電力：

300 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

箱

動作周波数：

30 MHz

動作温度範囲：

- 65 C to + 150 C

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8 mS

Pd-消費電力：

648 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

40 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.6 V

Tags

VRF293, VRF29, VRF2, VRF