QH8MA2TCR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSMT-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

4.5 A, 3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

25 mOhms, 55 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

8.4 nC, 7.8 nC

最低動作温度：

-

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.5 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.4 S, 1.9 S

立ち下がり時間：

5.7 ns, 8.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns, 16.8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12 ns, 27.6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.2 ns, 7.9 ns

パーツ番号エイリアス：

QH8MA2

Tags

QH8MA2, QH8MA, QH8M, QH8