MRF6V2010GNR5

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

110 V

利得：

23.9 dB

出力電力：

10 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-270-2

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

450 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

単位重量：

0.019330 oz

Tags

MRF6V20, MRF6V2, MRF6V, MRF6, MRF