BUZ30A L3045A

Mfr. #:: BUZ30A L3045A
メーカー:: Infineon Technologies
説明:: IGBT Transistors MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: BUZ30A L3045A データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: インフィニオンテクノロジーズ

製品カテゴリ: トランジスタ-FET、MOSFET-シングル

包装: リール

パーツエイリアス: BUZ30AL3045AXT

単位重量: 0.139332 oz

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: TO-252-3

テクノロジー: Si

チャネル数: 1 Channel

構成: 独身

トランジスタタイプ: 1 N-Channel

Pd-電力損失: 125 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

立ち下がり時間: 90 ns

立ち上がり時間: 70 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 20 V

Id-連続-ドレイン-電流: 21 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 200 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 130 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

典型的なターンオフ遅延時間: 250 ns

典型的なターンオン遅延時間: 30 ns

チャネルモード: 強化

Tags: BUZ30A, BUZ30, BUZ3, BUZ

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Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
BUZ30AH3045AATMA1 DISTI # BUZ30AH3045AATMA1TR-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 RoHS: Compliant Min Qty: 1000 Container: Tape & Reel (TR)	Limited Supply - Call	1000:$1.1270
BUZ30AH3045AATMA1 DISTI # BUZ30AH3045AATMA1CT-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	Limited Supply - Call
BUZ30AH3045AATMA1 DISTI # BUZ30AH3045AATMA1DKR-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	Limited Supply - Call
BUZ30A L3045A DISTI # 726-BUZ30AL3045A	Infineon Technologies AG	MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2 RoHS: Compliant	0

関連製品

画像	モデル	説明
	Mfr.#: BUZ30AH3045AATMA1 OMO.#: OMO-BUZ30AH3045AATMA1	MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
	Mfr.#: BUZ30AHXKSA1 OMO.#: OMO-BUZ30AHXKSA1	MOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3
	Mfr.#: BUZ30A OMO.#: OMO-BUZ30A	MOSFET N-Ch 200V 21A TO220-3
	Mfr.#: BUZ30A OMO.#: OMO-BUZ30A-INFINEON-TECHNOLOGIES	MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
	Mfr.#: BUZ30A E3045A OMO.#: OMO-BUZ30A-E3045A-INFINEON-TECHNOLOGIES	MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
	Mfr.#: BUZ30A-E3045A OMO.#: OMO-BUZ30A-E3045A-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: BUZ30AE3045A OMO.#: OMO-BUZ30AE3045A-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: BUZ30AH OMO.#: OMO-BUZ30AH-1190	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB
	Mfr.#: BUZ30AH3045A OMO.#: OMO-BUZ30AH3045A-1190	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
	Mfr.#: BUZ30A H OMO.#: OMO-BUZ30A-H-124	Darlington Transistors MOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3