FDB082N15A

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

Id-連続ドレイン電流：

105 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

64.5 nC

Pd-消費電力：

231 W

構成：

独身

商標名：

PowerTrench

包装：

リール

高さ：

4.83 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

FDB082N15A

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

9.65 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

139 S

立ち下がり時間：

26 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

58 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.045856 oz

Tags

FDB082, FDB08, FDB0, FDB