2N2222Ae3

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-18-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

75 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1 V

最大DCコレクタ電流：

800 mA

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

包装：

フォイルバッグ

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

連続コレクタ電流：

800 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30

Pd-消費電力：

500 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

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