SBCP56T1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-4

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

最大DCコレクタ電流：

1 A

ゲイン帯域幅積fT：

130 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

BCP56

DC電流ゲインhFEMax：

25 at 5 mA, 2 V

高さ：

1.57 mm

長さ：

6.5 mm

包装：

リール

幅：

3.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

25 at 5 mA, 2 V, 40 at 150 mA, 2 V, 25 at 500 mA, 2 V

Pd-消費電力：

1500 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.003951 oz

Tags

SBCP56, SBCP5, SBCP, SBC