BCM857BV-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-563-6

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 45 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 200 mV

最大DCコレクタ電流：

- 200 mA

ゲイン帯域幅積fT：

175 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

BCM857

DC電流ゲインhFEMax：

450

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

Pd-消費電力：

500 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000106 oz

Tags

BCM857BV, BCM857B, BCM857, BCM85, BCM8, BCM