IPB65R280E6

Mfr. #:: IPB65R280E6
メーカー:: Infineon Technologies
説明:: - Bulk (Alt: IPB65R280E6)
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: IPB65R280E6 データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: インフィニオンテクノロジーズ

製品カテゴリ: トランジスタ-FET、MOSFET-シングル

シリーズ: XPB65R280

包装: リール

パーツエイリアス: IPB65R280E6 SP000795274

単位重量: 0.068654 oz

取り付けスタイル: SMD / SMT

商標名: CoolMOS

パッケージ-ケース: TO-263-3

テクノロジー: Si

チャネル数: 1 Channel

構成: 独身

トランジスタタイプ: 1 N-Channel

Pd-電力損失: 104 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

立ち下がり時間: 9 ns

立ち上がり時間: 9 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 30 V

Id-連続-ドレイン-電流: 13.8 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 700 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage: 3 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 280 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

典型的なターンオフ遅延時間: 76 ns

典型的なターンオン遅延時間: 11 ns

Qg-Gate-Charge: 45 nC

Tags: IPB65R28, IPB65R2, IPB65, IPB6, IPB

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Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
IPB65R280E6ATMA1 DISTI # IPB65R280E6ATMA1-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH TO263-3 RoHS: Compliant Min Qty: 1000 Container: Tape & Reel (TR)	Limited Supply - Call	1000:$1.3668
IPB65R280E6 DISTI # IPB65R280E6	Infineon Technologies AG	- Bulk (Alt: IPB65R280E6) Min Qty: 317 Container: Bulk	Americas - 0	317:$1.1229 319:$1.0829 636:$1.0439 1585:$1.0089 3170:$0.9909
IPB65R280E6ATMA1 DISTI # IPB65R280E6ATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 650(Min)V 13.8A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB65R280E6ATMA1) RoHS: Compliant Min Qty: 1000 Container: Reel	Americas - 0	1000:$1.2339 2000:$1.1899 4000:$1.1469 6000:$1.1079 10000:$1.0879
IPB65R280E6 DISTI # 726-IPB65R280E6	Infineon Technologies AG	MOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS E6 RoHS: Compliant	0	1:$2.5200 10:$2.1400 100:$1.7100 500:$1.5000 1000:$1.2400 2000:$1.1500 5000:$1.1100
IPB65R280E6ATMA1 DISTI # 726-IPB65R280E6ATMA1	Infineon Technologies AG	MOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2	0	1:$2.5200 10:$2.1400 100:$1.7100 500:$1.5000 1000:$1.2400 2000:$1.1500 5000:$1.1100
IPB65R280E6	Infineon Technologies AG	Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-263AB RoHS: Compliant	10000	1000:$1.0300 500:$1.0800 100:$1.1300 25:$1.1700 1:$1.2600

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画像	モデル	説明
	Mfr.#: IPB65R190CFDA OMO.#: OMO-IPB65R190CFDA	MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
	Mfr.#: IPB65R099C6ATMA1 OMO.#: OMO-IPB65R099C6ATMA1	MOSFET N-Ch 700V 115A D2PAK-2
	Mfr.#: IPB65R095C7ATMA2 OMO.#: OMO-IPB65R095C7ATMA2-INFINEON-TECHNOLOGIES	MOSFET N-CH TO263-3
	Mfr.#: IPB65R190CFDATMA2 OMO.#: OMO-IPB65R190CFDATMA2-INFINEON-TECHNOLOGIES	HIGH POWER_LEGACY
	Mfr.#: IPB65R065C7 OMO.#: OMO-IPB65R065C7-1190	MOSFET N-Ch 700V 145A D2PAK-2
	Mfr.#: IPB65R110CFDA , 2SD1950- OMO.#: OMO-IPB65R110CFDA-2SD1950--1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IPB65R190C6S OMO.#: OMO-IPB65R190C6S-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IPB65R225C7ATMA1 OMO.#: OMO-IPB65R225C7ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES	MOSFET N-Ch 700V 41A D2PAK-2
	Mfr.#: IPB65R065C7ATMA1 OMO.#: OMO-IPB65R065C7ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES	MOSFET N-Ch 700V 145A D2PAK-2
	Mfr.#: IPB65R310CFDAATMA1 OMO.#: OMO-IPB65R310CFDAATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES	RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2