2SCR586D3TL1

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

100 mV

最大DCコレクタ電流：

5 A

ゲイン帯域幅積fT：

200 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

390

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

10 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2SCR586D3

Tags

2SCR586D, 2SCR58, 2SCR5, 2SCR, 2SC