2N7002E-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

240 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

0.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

350 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

2N7002E

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

600 mS

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

パーツ番号エイリアス：

2N7002E-GE3

単位重量：

0.000282 oz

Tags

2N7002E-T1, 2N7002E-T, 2N7002E, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7