UMG11NTR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアル

トランジスタの極性：

NPN

一般的な入力抵抗：

2.2 kOhms

典型的な抵抗比：

21

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TUMT-5

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

80

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

100 mA

ピークDCコレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

300 mW

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

UMG11N

包装：

リール

DC電流ゲインhFEMax：

80

高さ：

0.77 mm

長さ：

2 mm

幅：

1.7 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

UMG11N

Tags

UMG11NTR, UMG11NT, UMG11N, UMG11, UMG1, UMG