IXTH6N150

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Qg-ゲートチャージ：

67 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

540 W

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

製品：

パワーMOSFET

シリーズ：

IXTH6N150

タイプ：

高電圧パワーMOSFET

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6.5 mS

立ち下がり時間：

38 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

20 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

50 ns

典型的なターンオン遅延時間：

22 ns

単位重量：

0.229281 oz

Tags

IXTH6N1, IXTH6N, IXTH6, IXTH, IXT