IXTH52N65X

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

52 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

68 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

113 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

660 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

シリーズ：

Xクラス

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

25 S

立ち下がり時間：

16 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

57 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

63 ns

典型的なターンオン遅延時間：

26 ns

単位重量：

0.056438 oz

Tags

IXTH5, IXTH, IXT