2SC5658RM3T5G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-723-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.4 V

ゲイン帯域幅積fT：

180 MHz

シリーズ：

2SC5658RM3

DC電流ゲインhFEMax：

560

高さ：

0.55 mm

長さ：

1.25 mm

包装：

リール

幅：

0.85 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

260 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000045 oz

Tags

2SC5658, 2SC565, 2SC56, 2SC5, 2SC