BSC190N12NS3 G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TDSON-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

120 V

Id-連続ドレイン電流：

44 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

19 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

26 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

69 W

構成：

独身

商標名：

OptiMOS

包装：

リール

高さ：

1.27 mm

長さ：

5.9 mm

シリーズ：

OptiMOS 3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

OptiMOS 3 Power-Transistor

幅：

5.15 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

45 S, 23 S

立ち下がり時間：

4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

22 ns

典型的なターンオン遅延時間：

17 ns

パーツ番号エイリアス：

BSC190N12NS3GATMA1 BSC19N12NS3GXT SP000652752

Tags

BSC190N12, BSC190N1, BSC190, BSC19, BSC1, BSC