TSM2311CX RFG

製品属性

属性値

メーカー：

台湾積体電路

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

45 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

450 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

900 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

製品：

整流器

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

台湾積体電路

フォワード相互コンダクタンス-最小：

9 S

立ち下がり時間：

25 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

35 ns

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

45 ns

典型的なターンオン遅延時間：

22 ns

Tags

TSM2311CXR, TSM2311C, TSM2311, TSM231, TSM23, TSM2, TSM