TGF2965-SM

TGF2965-SM
Mfr. #:
TGF2965-SM
メーカー:
Qorvo
説明:
RF JFET Transistors 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
TGF2965-SM データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
TGF2965-SM 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー
TriQuint(Qorvo)
製品カテゴリ
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
包装
トレイ
パーツエイリアス
1123170
単位重量
0.002014 oz
取り付けスタイル
SMD / SMT
パッケージ-ケース
QFN-16
テクノロジー
GaN SiC
構成
独身
トランジスタタイプ
HEMT
利得
18 dB
出力電力
6 W
Pd-電力損失
7.5 W
最高作動温度
-
最低作動温度
-
動作周波数
30 MHz to 3 GHz
Id-連続-ドレイン-電流
600 mA
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
32 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
-
Rds-On-Drain-Source-Resistance
-
トランジスタ-極性
Pチャネル
フォワード-相互コンダクタンス-最小
-
Vgs-ゲート-ソース-ブレークダウン-電圧
- 2.7 V
ゲート-ソース-カットオフ-電圧
-
最大ドレインゲート電圧
-
Tags
TGF296, TGF29, TGF2, TGF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, 0.03 to 3 GHz, 5 W, 18 dB, 32 V, GaN, Plastic QFN
TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor
QorvoTGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor is a 6W (P3dB), 50Ω-input matched discrete GaN on SiC HEMT which operates from 0.03 to 3.0GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance. The output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
モデル メーカー 説明 ストック 価格
TGF2965-SM
DISTI # 772-TGF2965-SM
QorvoRF JFET Transistors 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
RoHS: Compliant
0
  • 1:$45.0000
  • 25:$40.0000
  • 100:$35.0000
  • 250:$32.0000
TGF2965-SM-EVB
DISTI # 772-TGF2965-SM-EVB
QorvoRF Development Tools
RoHS: Compliant
0
  • 1:$875.0000
画像 モデル 説明
TGF2965-SM

Mfr.#: TGF2965-SM

OMO.#: OMO-TGF2965-SM

RF JFET Transistors 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
TGF2953

Mfr.#: TGF2953

OMO.#: OMO-TGF2953

RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
TGF2954

Mfr.#: TGF2954

OMO.#: OMO-TGF2954

RF JFET Transistors DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
TGF2929-HM

Mfr.#: TGF2929-HM

OMO.#: OMO-TGF2929-HM-318

RF JFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
TGF2956

Mfr.#: TGF2956

OMO.#: OMO-TGF2956-318

RF JFET Transistors DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm
TGF2954

Mfr.#: TGF2954

OMO.#: OMO-TGF2954-318

RF JFET Transistors DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
TGF2977-SM-EVB

Mfr.#: TGF2977-SM-EVB

OMO.#: OMO-TGF2977-SM-EVB-1152

RF Development Tools
TGF2979-SM-EVB

Mfr.#: TGF2979-SM-EVB

OMO.#: OMO-TGF2979-SM-EVB-1152

RF Development Tools
TGF2929-HM-EVB

Mfr.#: TGF2929-HM-EVB

OMO.#: OMO-TGF2929-HM-EVB-1152

RF Development Tools
TGF2965-SM-EVB

Mfr.#: TGF2965-SM-EVB

OMO.#: OMO-TGF2965-SM-EVB-1152

RF Development Tools
可用性
ストック:
Available
注文中:
4000
数量を入力してください:
TGF2965-SMの現在の価格は参考用です。最高の価格をご希望の場合は、お問い合わせまたは直接メールで営業チーム[email protected]までご連絡ください。
参考価格(USD)
単価
小計金額
1
$48.00
$48.00
10
$45.60
$456.00
100
$43.20
$4 320.00
500
$40.80
$20 400.00
1000
$38.40
$38 400.00
皮切りに
Top