CGHV1F006S

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN

利得：

16 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 10 V to 2 V

Id-連続ドレイン電流：

950 mA

出力電力：

6 W

最大ドレインゲート電圧：

-

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

-

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-12

包装：

リール

応用：

-

構成：

独身

動作周波数：

18 GHz

動作温度範囲：

- 40 C to + 150 C

ブランド：

Wolfspeed / Cree

フォワード相互コンダクタンス-最小：

-

ゲート-ソースカットオフ電圧：

-

クラス：

-

感湿性：

はい

NF-雑音指数：

-

P1dB-圧縮ポイント：

-

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

-

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

トランジスタ

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 3 V

Tags

CGHV1F00, CGHV1F, CGHV1, CGHV, CGH