APTM10HM19FT3G

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

製品：

パワーMOSFETモジュール

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

SP-32

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

チューブ

構成：

独身

高さ：

11.5 mm

長さ：

73.4 mm

幅：

40.8 mm

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

125 ns

Id-連続ドレイン電流：

70 A

Pd-消費電力：

208 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

19 mOhms

立ち上がり時間：

70 ns

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

商標名：

パワーMOSV

典型的なターンオフ遅延時間：

95 ns

典型的なターンオン遅延時間：

35 ns

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Tags

APTM10H, APTM10, APTM1, APTM, APT