DMT4003SCT

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220AB-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

205 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

75.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

156 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

15.8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

41.2 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

34.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13.4 ns

単位重量：

0.079014 oz

Tags

DMT400, DMT40, DMT4, DMT