BSV52LT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

12 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

20 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

400 mV

最大DCコレクタ電流：

0.1 A

ゲイン帯域幅積fT：

400 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

BSV52L

高さ：

0.94 mm

長さ：

2.9 mm

包装：

リール

幅：

1.3 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

0.1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

25

Pd-消費電力：

225 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000282 oz

Tags

BSV52LT, BSV52L, BSV52, BSV5, BSV