MS1008

製品属性

属性値

メーカー：

Advanced Semiconductor、Inc。

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

バイポーラパワー

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

15

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

55 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

4 V

連続コレクタ電流：

10 A

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

M164

包装：

トレイ

動作周波数：

30 MHz

タイプ：

RFバイポーラパワー

ブランド：

Advanced Semiconductor、Inc。

Pd-消費電力：

233 W

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

MS100, MS10, MS1