SQS415ENW-T1_GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAK-1212-8W

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

16 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

16.1 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

82 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

62.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 P-Channel TrenchFET Power MOSFET

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

30 S

立ち下がり時間：

16 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3.6 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

64 ns

典型的なターンオン遅延時間：

11.8 ns

Tags

SQS41, SQS4, SQS