IRF5801TRPBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSOP-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

600 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.2 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

3.9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

3 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.5 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.44 S

立ち下がり時間：

19 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

8.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.5 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001570104

単位重量：

0.000705 oz

Tags

IRF580, IRF58, IRF5, IRF