FDPF2D3N10C

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220F-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

222 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.1 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

152 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

45 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

シリーズ：

FDPF2D3N10C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

222 S

立ち下がり時間：

32 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

35 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

74 ns

典型的なターンオン遅延時間：

42 ns

単位重量：

0.080072 oz

Tags

FDPF2, FDPF, FDP