IFN5114

製品属性

属性値

メーカー：

InterFET

製品カテゴリ：

JFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-18-3

トランジスタの極性：

Pチャネル

構成：

独身

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 15 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

30 V

Vgs = 0でのドレイン-ソース電流：

- 90 mA

Id-連続ドレイン電流：

- 15 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

75 Ohms

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

シリーズ：

IFN511

包装：

バルク

タイプ：

JFET

ブランド：

InterFET

ゲート-ソースカットオフ電圧：

10 V

ファクトリーパックの数量：

1

パーツ番号エイリアス：

2N5114

Tags

IFN511, IFN51, IFN5, IFN