FDMS86200E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PQFN-56

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

Id-連続ドレイン電流：

35 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

18 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

33 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

104 W

構成：

シングルトリプルソースクワッドドレイン

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel PowerTRENCH MOSFET

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

33 S

立ち下がり時間：

5.8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7.9 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

27 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

Tags

FDMS86200, FDMS8620, FDMS862, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM